...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Elektronika >Detektory barierowe - nowe trendy
【24h】

Detektory barierowe - nowe trendy

机译：障碍探测器-新趋势

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

W artykule omówiono nowe trendy w rozwoju wysokotemperaturowych - nie wymagających chłodzenia kriogenicznego - barierowych detektorów podczerwieni. Przedstawiono podstawy teoretyczne, podstawową strukturę typu nBn, jak również dokonano przeglądu materiałów wykorzystywanych do wytwarzania detektorów barierowych pod względem granicznych wartości prądu ciemnego. Przedstawiono osiągi detektorów barierowych wytwarzanych z supersieci-Ⅱ rodzaju materiałów grupy A~ⅢB~Ⅴ InAs/GaSb i InAs/InAsSb. W przypadku InAs/InAsSb szacowania teoretyczne wskazują na lepsze osiągi niż te uzyskiwane dla układu InAs/GaSb. Nie pominięto materiałów objętościowych z grupy A~ⅢB~Ⅴ: InAs, InAsSb i InGaAsSb, jak również dominującego obecnie HgCdTe. Detektory barierowe związków grupy A~ⅢB~Ⅴ, zarówno z materiałów litych jak i z supersieci-Ⅱ typu, stanowią realną alternatywę dla HgCdTe do zastosowań wysokotemperaturowych, choć najniższe graniczne wartości prądu nadal uzyskuje się dla struktur z HgCdTe.%In the paper we discussed the new trends in higher operating temperature - exhibiting no requirements related to the cryogenic cooling - the barrier IR detectors. We presented basic theory, simple nBn structure, and reviewed the materials used for the nBn detectors in terms of the utmost dark current. The performance was presented for type-Ⅱ super-llatices InAs/GaSb and InAs/InAsSb. Theoretical simulations indicate that T2SLs InAs/InAsSb exhibits lower SRH generation recombination rates in comparison to the InAs/GaSb. The performance of the bulk InAsSb and HgCdTe materials was also presented. The A~ⅢB~Ⅴ bulk and type-Ⅱ superlattices barrier detectors could be treated as an alternative to the HgCdTe detectors for higher operating temperature conditions. The utmost dark current was found for HgCdTe nBn barrier detectors.
机译：本文讨论了高温发展的新趋势-无需低温冷却-屏障红外探测器。介绍了nBn型的理论基础，基本结构，并就暗电流极限值对用于制造势垒探测器的材料进行了综述。提出了由ⅡA〜ⅢB〜Ⅴ类InAs / GaSb和InAs / InAsSb材料组成的超网络产生的势垒探测器的性能。对于InAs / InAsSb，理论估计表明其性能优于InAs / GaSb系统。 A〜〜B〜Ⅴ组的体积材料没有被忽略：InAs，InAsSb和InGaAsSb，以及目前占主导地位的HgCdTe。尽管对于含HgCdTe的结构仍可获得最低电流限制，但从固相和超网络型材料中分离出的A〜ⅢB〜Ⅴ类化合物的势垒检测器仍是HgCdTe的可行替代品。％更高的工作温度的新趋势-对低温冷却无要求-壁垒红外探测器。我们介绍了基本理论，简单的nBn结构，并从最大暗电流方面回顾了用于nBn检测器的材料。给出了Ⅱ型超晶格InAs / GaSb和InAs / InAsSb的性能。理论模拟表明，与InAs / GaSb相比，T2SLs InAs / InAsSb表现出较低的SRH生成重组率。还介绍了块状InAsSb和HgCdTe材料的性能。对于较高的工作温度条件，可以将A〜ⅢB〜Ⅴ型和Ⅱ型超晶格势垒探测器作为HgCdTe探测器的替代品。对于HgCdTe nBn势垒探测器，发现了最大的暗电流。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号