...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Elektronika >Termiczne stany przej?ciowe w mikrofalowych tranzystorach MESFET z w?glika krzemu
【24h】

Termiczne stany przej?ciowe w mikrofalowych tranzystorach MESFET z w?glika krzemu

机译：碳化硅制成的微波MESFET中的热转变态

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

W pracy przedstawiono sposób pomiaru i wyniki badań przej?ciowej im-pedancji termicznej wspó?czesnych typów tranzystorów mikrofalowych dla ró?nych temperatur otoczenia. Obiektem badań s? tranzystory MESFET z SiC, których znaczenie ro?nie, ze wzgl?du na coraz cz?stsze zastosowanie w uk?adach mikrofalowych z zasilaniem impulsowym. Poza przyk?adowymi wynikami pomiarów, przedstawiono sposób doboru wspó?czynników w analitycznym opisie impedancji termicznej. Na podstawie tych pomiarów wyznaczono drog? symulacji, czasowe przebiegi zmian temperatury wn?trza tranzystorów MESFET z SiC za pomoc? algorytmów SARA przy pobudzaniu impulsem mocy o kszta?cie stosowanym w rzeczywistych uk?adach mikrofalowych.%Influence of the ambient temperature on the thermal characteristics of SiC MESFET microwave transistors is presented in this paper. Multifunctional measurement system for investigating fast thermal transients of semiconductor devices has been used. This system gives the possibility of measuring thermal transients in field-effect MESFET transistors for different excitation patterns. Based on the measurements and additional software it's possible to identify analytical parameters of measured transient thermal curves. Exemplary internal temperature changes for given excitation paterns calculated with use of SARA algorithms are presented. Typical measurement results are presented along with parameters identified for them, for chosen microwave transistors measured in different ambient temperatures.
机译：本文介绍了在各种环境温度下现代类型的微波晶体管的瞬态热浸测试的测量方法和结果。研究对象是由于越来越多地使用带有脉冲电源的微波系统，SiC的MESFET晶体管的重要性正在不断提高。除样品测量结果外，还提出了一种在热阻分析描述中选择系数的方法。基于这些测量，确定了路径？模拟，使用SiC的MESFET晶体管内部温度变化的时程本文介绍了环境温度对SiC MESFET微波晶体管热特性的影响％。已经使用了用于调查半导体器件的快速热瞬变的多功能测量系统。该系统提供了针对不同激励模式测量场效应MESFET晶体管中热瞬态的可能性。基于测量值和附加软件，可以确定测量到的瞬态热曲线的分析参数。给出了使用SARA算法计算的给定激励模式的示例性内部温度变化。对于在不同环境温度下测量的所选微波晶体管，将给出典型的测量结果以及为它们确定的参数。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号