...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Przeglad Elektrotechniczny >Wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych
【24h】

Wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych

机译：光电导开关设计的某些方面

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Półprzewodnikowy przełącznik fotokonduktancyjny to urządzenie, w którym w wyniku pobudzenia sygnałem optycznym, następuje wzrost koncentracji nośników ładunku powodując zmniejszenie oporności materiału półprzewodnikowego nawet o kilka rzędów wielkości. W artykule przedstawiono wybrane aspekty projektowania przełączników fotokonduktancyjnych uwzględniając m.in. kwestie związane z szybkością włączania elementu, równomiernym rozkładem gęstości prądu, wytrzymałością termiczną, czasem eksploatacji i wysokim lokalnym polem elektrycznym wytwarzanym w miejscu elektrod.%A photoconductive semiconductor switch is a device in which density of charge carriers increases causes decreases resistivity of semiconductor as a result of optically triggered. This paper shows selected aspects of photoconductive semiconductor switches designing with regards issue related to the switch rise-times, uniform distributed current density, thermal resistance, device lifetime and high local electric field generated at the electrode site.
机译：半导体光电导开关是这样一种器件，其中，通过光信号激发，电荷载流子的浓度增加，从而导致半导体材料的电阻降低多达几个数量级。本文介绍了光电导开关设计的某些方面，包括与元件接通速度，电流密度的均匀分布，热强度，工作时间以及代替电极产生的高局部电场有关的问题。％光电导半导体开关是一种载流子密度增加而导致半导体电阻率降低的器件的光触发。本文就与开关上升时间，均匀分布的电流密度，热阻，器件寿命和电极部位产生的高局部电场有关的问题，展示了光电导半导体开关设计的某些方面。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号