...
首页> 外文期刊>Przeglad Elektrotechniczny >Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range
【24h】

Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range

机译:动态范围大的光电半导体转换器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

Semiconductors with deep multiply charged impurity are proposed as a basis for photodetectors with a large dynamic range of sensitivity. The model of recombination processes is used to develop photodetectors with extended dynamic range and functionality. It is shown that the use of such structures can significantly extend the dynamic range and sensitivity resulting in new functional properties of photodetectors with a simple structure.%Do formowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzoną dynamiczną skalą czułości proponuje się wykorzystanie półprzewodników domieszkowanych głęboką wieloladunkową domieszką. Do opracowania przetworników fotoelektrycznych z rozszerzonymi funkcjonalnymi możliwościami i dynamiczną skalą wykorzystano model zjawisk rekombinacyjnych. Udowodniono, że wykorzystanie takich struktur pozwala istotnie poszerzyć dynamiczną skalę czułości oraz otrzymać nowe funkcjonalne właściwości przetworników fotoelektrycznych z prostą strukturą.
机译:提出了具有深多电荷杂质的半导体作为具有大动态范围灵敏度的光电探测器的基础。重组过程模型用于开发具有扩展的动态范围和功能的光电探测器。结果表明,使用这种结构可以显着扩展动态范围和灵敏度,从而以简单的结构实现光电检测器的新功能特性。%为了形成具有扩展的动态灵敏度规模的光电换能器,建议使用掺杂有深多电荷掺杂剂的半导体。重组现象模型用于开发具有扩展功能和动态规模的光电换能器。已经证明,使用这种结构允许显着扩大动态灵敏度范围,并获得具有简单结构的光电换能器的新功能特性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号