...
首页> 外文期刊>Przeglad Elektrotechniczny >Design of Bandgap Core and Startup Circuits for All CMOS Bandgap Voltage Reference
【24h】

Design of Bandgap Core and Startup Circuits for All CMOS Bandgap Voltage Reference

机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

This paper proposes a new self-biased op-amp's startup circuit design and improved bandgap core circuit for all CMOS bandgap voltage reference (BGR). In a conventional BGR circuit, the startup circuit may be designed either be required an external power on reset signal (FOR) or composed of several MOS transistors for generating bias current and the bandgap core circuits has two nodes that are controlled currents and voltages by resistors of the same value. The new startup circuit presented here is designed by using only one NMOS transistor with circuit solutions suitable for low supply-voltage operation and achieved the correct bias point stability at the power on and the bandgap core circuit is defined the currents and voltages only one node which can be controlled by input voltages definition of op-amp are equalized for reducing the number of resistor. The simulation results indicate reference voltage of about 500.2 mV, temperature coefficient(TC) of 5ppm/℃, which can be successfully operated with a minimum power supply of 1.2V at a temperature of 0-100℃ and a total power dissipation of 10.7 /μW room temperature.%W artykule zaproponowano nowe możliwości projektowania CMOS pasmowych wzorców napięcia. W obwodach konwencjonalnych wymaga ne jest użycie zewnętrznego sygnału resetu albo użycie kilku tranzystorów MOS generujących prąd polaryzacji. W nowej koncepcji wykorzystywane są tylko tranzystory NMOS co umożliwia pracę przy niskim napięciu zasilającym.
机译:本文针对所有CMOS带隙参考电压(BGR)提出了一种新的自偏置运算放大器的启动电路设计和改进的带隙核心电路。在传统的BGR电路中,启动电路可以设计为需要外部上电复位信号(FOR),也可以设计为由多个MOS晶体管组成以产生偏置电流,并且带隙核心电路具有两个节点,这些节点由电阻器控制电流和电压具有相同的价值。这里介绍的新启动电路是通过仅使用一个NMOS晶体管设计的,该电路的解决方案适用于低电源电压操作,并在加电时实现了正确的偏置点稳定性,并且带隙核心电路仅在一个节点上定义了电流和电压,可以由输入电压控制,运算放大器的定义相等,以减少电阻器的数量。仿真结果表明参考电压约为500.2 mV,温度系数(TC)为5ppm /℃,可以在0-100℃的温度下以1.2V的最小电源成功运行,总功耗为10.7 /室温μW。%W artykule zaproponowano nowemożliwościprojektowania CMOS pasmowychwzorcównapięcia。您可以从MOS上获得MOS的纯正的极性。 W Nowej koncepcji wykorzystywanesątylko tranzystory NMOS coumożliwiapracęprzy niskimnapięciuzasilającym。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号