...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Przeglad Elektrotechniczny >Thermal analysis of the half-bridge IGBT power module with analytical, numerical and experimental methods
【24h】

Thermal analysis of the half-bridge IGBT power module with analytical, numerical and experimental methods

机译：用分析，数值和实验方法对半桥IGBT功率模块进行热分析

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Artykuł opisuje analizę cieplną pótmostkowych modułów mocy IGBT zamontowanych do urządzeń grzejnych. Dyssypacja mocy urządzeń półprzewodnikowych stopniowo nagrzewa moduł mocy do pewnej temperatury. Głównym Selene tych badań jest obliczenie i weryfikacja wzrostu temperatury różnych systemów dyssypacji energii i wymuszonych warunków chłodzenia. Wzrost temperatury w przypadku kiedy dyssypacja energii osiąga maksimum może być przewidziany. Zaproponowano analityczne i numeryczne rozwiązania problemu.%This paper describes a thermal analysis of the half-bridge IGBT power module, which is mounted to the heat sink. Power dissipation of semiconductor devices gradually heats the power module up to the certain temperature. The main objective of this research is to calcufate and verify the temperature rise of the system for different cases of power dissipation and forced cooling conditions. Temperature rise in the case when power dissipation achieves its maximum can be predicted. Several solutions are proposed: analytical, numerical (finite element methods) and experimental.
机译：本文介绍了安装在加热设备上的后桥IGBT电源模块的热分析。半导体器件的功耗逐渐将功率模块加热到一定温度。这些研究的主要Selene是对各种能量消散系统和强制冷却条件的温度升高的计算和验证。可以预测到能量消耗达到最大值时温度的升高。已经提出了对该问题的分析和数值解决方案。％本文介绍了安装在散热器上的半桥IGBT电源模块的热分析。半导体器件的功耗逐渐将功率模块加热到一定温度。这项研究的主要目的是计算和验证系统在不同功耗和强制冷却条件下的温升。可以预测功耗达到最大值时的温升。提出了几种解决方案：分析，数值（有限元方法）和实验。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号