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Amplification of strong picosecond optical pulses in semiconductor optical amplifiers

机译：半导体光放大器中强大的皮秒光脉冲的放大

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Numerical simulations have been undertaken to investigate the amplification of strong picosecond optical pulses in semiconductor optical amplifiers (SOAs). Taking into account carrier heating, spectral holeburning, two-photon absorption (TPA) and ultrafast nonlinear refraction (UNR) effects. It is shown that both the TPA and UNR play important roles in determining the output pulse properties if the pulse energy is larger than -0.5 pJ, and that these effects can be significantly enhanced with increased pulse energy and decreased pulse width as well as with higher small signal gain of the SOA. Results also indicate that. For larger input pulse energy, the symmetry of the amplified optical pulse can be controlled simply by adjusting the injected current.
机译：已经进行了数值模拟，以研究半导体光学放大器（SOA）中皮秒级强光脉冲的放大。考虑到载流子加热，光谱烧孔，两光子吸收（TPA）和超快非线性折射（UNR）效应。结果表明，如果脉冲能量大于-0.5 pJ，则TPA和UNR在确定输出脉冲特性中都起着重要作用，并且随着脉冲能量的增加和脉冲宽度的减小以及更高的脉冲能量，这些影响可以得到显着增强。 SOA的信号增益小。结果也表明。对于更大的输入脉冲能量，可以简单地通过调整注入电流来控制放大的光脉冲的对称性。

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