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Experimental study of InGaAs-InP MQW electro-absorption modulators

机译：InGaAs-InP MQW电吸收调制器的实验研究

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Modulation characteristics of lattice-matched InGaAs-InP MQW structures containing 50 and 150 wells are compared. A contrast ratio of 2.6:1 (4.1 dB) has been attained at 1590 nm (4.9 dB insertion loss) in a 150 well sample. This is the largest perpendicular-geometry modulation reported in InGaAs-InP to date. A 46 meV quantum-confined Stark shift has been attained in an applied electric field of 2.5*10/sup 5/ V/cm/sup -1/ in the 50 well sample. This shift is approximately 8 times the exciton binding energy, and is larger than any previously reported in InGaAs-InP.
机译：比较了包含50和150个孔的晶格匹配InGaAs-InP MQW结构的调制特性。在150孔样品中的1590 nm（插入损耗为4.9 dB）下，对比度为2.6：1（4.1 dB）。这是迄今为止InGaAs-InP中报告的最大的垂直几何调制。在50孔样品中，在2.5 * 10 / sup 5 / V / cm / sup -1 /的施加电场中，已经实现了46 meV的量子限制斯塔克位移。该位移约为激子结合能的8倍，并且比InGaAs-InP中以前报道的任何位移都大。

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