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Soul-crushing AWESOMENESS!

机译:真棒真棒!

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摘要

The ion-implanted self-aligned gate field effect transistor (SAG-FET), invented by Robert W. Bower (MS '63, PhD 73), has been used by the billions in nearly all integrated circuits for the past 45 years. It is the most replicated inorganic structure ever made.
机译:由Robert W. Bower(MS '63,PhD 73)发明的离子注入自对准栅场效应晶体管(SAG-FET)在过去45年中已被数十亿应用在几乎所有集成电路中。它是有史以来复制最多的无机结构。

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    《Engineering & Science》 |2012年第3期|36-36|共1页
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