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【24h】

酸化ガリウムトランジスタ

机译:氧化镓晶体管

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摘要

酸化ガリウム(Ga_2O_3)は,そのワイドギャップに代表される優れた材料物性,および融液成長法により単結晶基板が安価かつ簡便に作製可能であることから,次世代パワーデバイス半導体材料として非常に有望である。本稿では,我々が世界に先駆けて動作実証に成功したGa_2O_3トランジスタについて,背景,材料物性が示す可能性 今後の展開を含めて解説する。
机译:氧化镓(Ga_2O_3)由于其优异的材料性能(以其宽的间隙为代表)以及通过熔体生长法轻松而廉价地生产单晶衬底的能力,非常有望成为下一代功率器件半导体材料。是的。在本文中,我们将说明Ga_2O_3晶体管,我们已成功在世界上首次展示了该晶体管的工作原理,包括背景,材料性能显示的可能性以及未来的发展。

著录项

  • 来源
    《機能材料》 |2012年第12期|27-33|共7页
  • 作者单位

    (独)情報通信研究機構 未来ICT研究所 ㈱科学技術振興機構 さきがけ;

    ㈱タムラ製作所 コアテクノロジー本部,LED開発室 ㈱情報通信研究機構 未来ICT研究所;

    LED開発室 ㈱情報通信研究機構 未来ICT研究所,LED開発室;

    ㈱光波 開発本部 光材料開発部;

    ㈱タムラ製作所 コアテクノロジー本部;

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  • 正文语种 jpn
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