A 1.24-GHz monolithic CMOS VCO with phase noise of -137 dBc/Hz at a 3-MHz offset

Hung C.-M.; O K.K.

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【24h】

A 1.24-GHz monolithic CMOS VCO with phase noise of -137 dBc/Hz at a 3-MHz offset

机译：1.23 GHz单片CMOS VCO，在3 MHz偏移下具有-137 dBc / Hz的相位噪声

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For the first time, a 1.24-GHz CMOS voltage-controlled oscillator (VCO) with an integrated resonator which satisfies the Global System for Mobile communications (GSM) phase noise requirement at a 3-MHz offset is presented. The measured phase noise is -88, -125, and -137 dBc/Hz at 10-kHz, 600-kHz, and 3-MHz offsets, respectively. The VCO is implemented in a low-cost 0.8-/spl mu/m foundry CMOS process exclusively using pMOS transistors which have greater than one order of magnitude lower 1/f noise than that of nMOS transistors. The tuning range is /spl sim/130 MHz for the control voltages between 0.5 and 3.0 V. The VCO core runs on 22 mA from a 3-V power supply.

机译：首次提出了一种带有集成谐振器的1.24 GHz CMOS压控振荡器（VCO），该振荡器可以以3 MHz的偏移量满足全球移动通信系统（GSM）相位噪声的要求。在10kHz，600kHz和3MHz偏移下，测得的相位噪声分别为-88，-125和-137 dBc / Hz。 VCO仅使用pMOS晶体管以低成本的0.8- / splμm/ m铸造CMOS工艺实现，该pMOS晶体管的1 / f噪声比nMOS晶体管低1个数量级。对于0.5至3.0 V之间的控制电压，调整范围为/ spl sim / 130 MHz。VCO内核使用3 V电源以22 mA供电。

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1999年第3期|P.111-113|共3页
作者
Hung C.-M.; O K.K.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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