A single-chip coplanar 0.8-/spl mu/m GaAs MESFET K/Ka-band DRO

Keller M.G.; Freundorfer A.P.

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A single-chip coplanar 0.8-/spl mu/m GaAs MESFET K/Ka-band DRO

机译：单芯片共面0.8- / splμ/ m GaAs MESFET K / Ka波段DRO

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The authors describe the design and measured results of a monolithic coplanar (CP) transmission line-based GaAs MESFET dielectric resonator oscillator (DRO) for K/Ka-band applications. The dielectric resonator (DR) is on chip. The measured output power was 11 dBm at 26.17 GHz for a conversion efficiency of 5.5%. The chip probed phase noise was -118.7 dBc at 1 MHz off carrier. This represents the first reported instance of a DRO being fabricated using a CP transmission line topology.

机译：作者介绍了用于K / Ka波段应用的基于单片共面（CP）传输线的GaAs MESFET介质谐振器振荡器（DRO）的设计和测量结果。介电谐振器（DR）在芯片上。在26.17 GHz处测得的输出功率为11 dBm，转换效率为5.5％。离载波1 MHz时，芯片探测到的相位噪声为-118.7 dBc。这代表使用CP传输线拓扑结构制造的DRO的第一个报告实例。

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1999年第12期|P.526-528|共3页
作者
Keller M.G.; Freundorfer A.P.;
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作者单位

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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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