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机译:基于单芯片44 GHz InP的HEMT低噪声放大器的低温冷却性能
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机译:44 GHz HEMT倍增器/放大器链
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机译:用于超低功耗低噪声应用的100MTnm AlSb / InAs HEMT
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:可制造的三叠层alsb / Inas HEmT低噪声放大器,采用晶圆级封装技术,适用于轻量级和超低功耗应用