A 94-GHz 130-mW InGaAs/InAlAs/InP HEMT high-power MMIC amplifier

Chen Y.C.; Lai R.

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【24h】

A 94-GHz 130-mW InGaAs/InAlAs/InP HEMT high-power MMIC amplifier

机译：一个94GHz 130mW InGaAs / InAlAs / InP HEMT大功率MMIC放大器

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We have developed W-band high-power monolithic microwave integrated circuit (MMIC) amplifiers using passivated 0.15 /spl mu/m gate length InGaAs/InAlAs/InP HEMT's. A 640 /spl mu/m single-stage MMIC amplifier demonstrated an output power of 130 mW with 13% power-added efficiency and 4 dB associated gain at 94 GHz. This result represents the best output power to date measured from a single fixtured InP-based HEMT MMIC at this frequency.

机译：我们已经开发了使用钝化的0.15 / spl mu / m栅极长度InGaAs / InAlAs / InP HEMT的W波段大功率单片微波集成电路（MMIC）放大器。一个640 / splμu/ m单级MMIC放大器在94 GHz频率下的输出功率为130 mW，功率附加效率为13％，相关增益为4 dB。该结果代表了迄今为止在此频率下从单个基于InP的固定式HEMT MMIC测得的最佳输出功率。

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1997年第5期|P.133-135|共3页
作者
Chen Y.C.; Lai R.;
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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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