A 6-21-GHz monolithic HEMT 2*3 matrix distributed amplifier

Kobayashi K.W.; Esfandiari R.

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A 6-21-GHz monolithic HEMT 2*3 matrix distributed amplifier

机译：6-21 GHz单片HEMT 2 * 3矩阵分布式放大器

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The results of the first monolithic matrix distributed amplifier fabricated using pseudomorphic high-electron-mobility transistor (HEMT) technology are reported. The HEMT matrix amplifier obtains a combination of high gain, wide bandwidth, and reasonable IP3 and noise figure. The best gain response is 20 dB from 6 to 21 GHz. The noise figure is 5.5 dB and the third-order intercept point is 21 dBm. In comparison to GaAs HBT and MESFET technologies, the HEMT matrix distributed amplifier shows the best promise for wideband millimeter-wave applications.

机译：报告了使用伪形高电子迁移率晶体管（HEMT）技术制造的第一个单片矩阵分布式放大器的结果。 HEMT矩阵放大器获得了高增益，宽带宽以及合理的IP3和噪声系数的组合。在6至21 GHz范围内，最佳增益响应为20 dB。噪声系数为5.5 dB，三阶交调点为21 dBm。与GaAs HBT和MESFET技术相比，HEMT矩阵分布式放大器显示出宽带毫米波应用的最佳前景。

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1993年第1期|P.11-13|共3页
作者
Kobayashi K.W.; Esfandiari R.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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