Complementary HBT push-pull amplifier by selective MBE

Kobayashi K.W.; Umemoto D.K.

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Complementary HBT push-pull amplifier by selective MBE

机译：选择性MBE的互补HBT推挽放大器

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Microwave performance results are presented of the first monolithically integrated GaAs-AlGaAs complementary HBT push-pull amplifier fabricated using selective molecular beam epitaxy and a merged HBT process. The push-pull amplifier integrates four n-p-n transistors with one p-n-p transistor on the same GaAs chip. The amplifier has a sharp DC characteristic curve with no crossover offset, a voltage swing of 6.3 V using a 9-V supply, and a linear voltage gain of 20. The bandwidth is DC to 2.5 GHz, with a saturated output power of 7.4 dBm at 2.5 GHz.

机译：给出了使用选择性分子束外延和合并的HBT工艺制造的首个单片集成GaAs-AlGaAs互补HBT推挽放大器的微波性能结果。推挽放大器在同一GaAs芯片上集成了四个n-p-n晶体管和一个p-n-p晶体管。该放大器具有清晰的直流特性曲线，无交叉偏移，使用9V电源时的电压摆幅为6.3V，线性电压增益为20。带宽为DC至2.5GHz，饱和输出功率为7.4dBm在2.5 GHz

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1992年第4期|P.149-150|共2页
作者
Kobayashi K.W.; Umemoto D.K.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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