Cryogenic performance of a monolithic W-band amplifier using picosecond optoelectric technique

Oshita F.; Martin M.

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Cryogenic performance of a monolithic W-band amplifier using picosecond optoelectric technique

机译：使用皮秒光电技术的单片W波段放大器的低温性能

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Cryogenic characterization of a monolithic W-band pseudomorphic InGaAs HEMT amplifier has been demonstrated for the first time using the picosecond optoelectronic technique. Low temperature, millimeter-wave measurements have been performed without the use of conventional millimeter-wave sources, components, and transitions. At 94 GHz, the single-state amplifier exhibits gain of 4.5 dB at 300 K, which increases to 7 dB at 70 K.

机译：首次使用皮秒光电技术证明了单片W波段假晶InGaAs HEMT放大器的低温特性。在不使用常规毫米波源，分量和转换的情况下，进行了低温毫米波测量。在94 GHz时，单态放大器在300 K时显示4.5 dB的增益，在70 K时增加到7 dB。

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1992年第8期|P.340-342|共3页
作者
Oshita F.; Martin M.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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