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Noise characterization of Schottky barrier diodes for high-frequency mixing applications

机译：用于高频混合应用的肖特基势垒二极管的噪声特性

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Experimental noise characteristics of diodes with different parameters are presented and discussed with respect to the dominant noise sources. It is shown that diodes with high doped epi-layers cannot be described by the common noise sources. Excellent agreement between measured and calculated results can be achieved for all diodes when the noise contribution due to interfacial traps in the epi-layer is taken into account. The basic noise model of millimeter-wave Schottky barrier diode and a concept of the noise temperature measurement are discussed.
机译：针对主要噪声源，介绍并讨论了具有不同参数的二极管的实验噪声特性。结果表明，普通噪声源无法描述具有高掺杂外延层的二极管。当考虑到由于外延层中的界面陷阱引起的噪声影响时，所有二极管的测量结果和计算结果之间都可以达到极好的一致性。讨论了毫米波肖特基势垒二极管的基本噪声模型和噪声温度测量的概念。

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