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Influence of surface layers on the RF-performance of AlInAs-GaInAs HFETs

机译：表面层对AlInAs-GaInAs HFET射频性能的影响

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The influence of thickness and doping level of the GaInAs cap layer in AlInAs-GaInAs-InP HFET structures on the DC and RF performance is systematically investigated. The authors compare three different approaches, the undoped cap layer, the highly doped thick cap layer, and, as a new approach, the thin doped and therefore surface depleted cap layer. HFET devices with 0.3 mu m gates have been processed. While all devices demonstrate f/sub T/-values around 80 GHz, distinct differences are observed for the f/sub max//f/sub T/ ratios from 1 (highly doped cap) over 1.3 (undoped cap) to 2.7 (surface depleted cap). The best f/sub max/ of 240 GHz is achieved for the new cap layer approach. A systematic investigation of the influence of the g/sub m//g/sub d/ and C/sub gs//C/sub ds/ ratios demonstrates the strong influence of a proper layout of the cap layer at the drain side of the gate region.
机译：系统研究了AlInAs-GaInAs-InP HFET结构中GaInAs盖层的厚度和掺杂水平对DC和RF性能的影响。作者比较了三种不同的方法，即未掺杂的盖层，高度掺杂的厚盖层，以及作为一种新方法的薄掺杂并因此耗尽表面的盖层。具有0.3微米栅极的HFET器件已经过处理。虽然所有设备都在80 GHz附近显示f / sub T /值，但f / sub max // f / sub T /比率从1（高掺杂电容）到1.3（无掺杂电容）到2.7（表面）观察到明显的差异。耗尽的帽子）。新的覆盖层方法可实现240 GHz的最佳f / sub max /。对g / sub m // g / sub d /和C / sub gs // C / sub ds /比率的影响的系统研究表明，正确覆盖盖层在漏极侧的影响很大。门区域。

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