Parameter-extraction method for heterojunction bipolar transistors

Maas S.A.; Tait D.

首页> 外文期刊>IEEE Microwave and Guided Wave Letters >Parameter-extraction method for heterojunction bipolar transistors

【24h】

Parameter-extraction method for heterojunction bipolar transistors

机译：异质结双极晶体管的参数提取方法

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

A method for determining the microwave equivalent-circuit element values of a small-signal heterojunction bipolar transistor (HBT) is described. Most important is the ability to separate the parasitic emitter resistance from the junction resistance. No use of 'cold' measurements or test patterns is required. The method may also be applicable to homojunction bipolars.

机译：描述了一种确定小信号异质结双极晶体管（HBT）的微波等效电路元件值的方法。最重要的是将寄生发射极电阻与结电阻分开的能力。无需使用“冷”测量或测试模式。该方法也可以适用于同质双极。

著录项

来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1992年第12期|P.502-504|共3页
作者
Maas S.A.; Tait D.;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. A Direct Parameter-Extraction Method for GalnP/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors Small-Signal Model [J] . SHI Xin-zhi, LIU Hai-wen, SUN Xiao-wei, Wuhan University Journal of Natural Sciences . 2005,第2期

机译：GalnP / GaAs异质结双极晶体管小信号模型的直接参数提取方法
2. Low-Capacitance Low-Voltage Transient Voltage Suppressor Using Diode-Activated SiGe Heterojunction Bipolar Transistor in SiGe Heterojunction Bipolar Transistor Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Process [J] . Sheng-Huei Dai, Jeng-Jie Peng, Chia-Cheng Chen, Japanese journal of applied physics . 2009,第4issue2期

机译：SiGe异质结双极晶体管双极互补金属氧化物半导体工艺中使用二极管激活的SiGe异质结双极晶体管的低电容低电压瞬态电压抑制器
3. Comparison of GaInP/GaAs heterostructure-emitter bipolar transistors and heterojunction bipolar transistors [J] . Yue-Fei Yang, Chung-Chi Hsu IEEE Transactions on Electron Devices . 1995,第7期

机译：GaInP / GaAs异质结发射极双极晶体管与异质结双极晶体管的比较
4. Ⅲ-Nitride Heterojunction Field-Effect Transistors and Heterojunction Bipolar Transistors for Next-Generation Power Electronics [C] . Russell D. Dupuis, Shyh-Chiang Shen, Zachary M. Lochner, Gallium nitride and silicon carbide power technologies . 2011

机译：下一代电力电子用Ⅲ型氮化物异质结场效应晶体管和异质结双极晶体管
5. Design, fabrication and characterization of N-channel InGaAsP-InP based inversion channel technology devices (ICT) for optoelectronic integrated circuits (OEIC): Double heterojunction optoelectronic switches (DOES), heterojunction field-effect transistors (HFET), bipolar inversion channel field-effect transistors (BICFET) and bipolar inversion channel phototransistors (BICPT). [D] . Tan, Eugene. 1998

机译：基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件（ICT）的设计，制造和表征，用于光电集成电路（OEIC）：双异质结光电开关（DOES），异质结场效应晶体管（HFET），双极倒置沟道场-效应晶体管（BICFET）和双极型反向沟道光电晶体管（BICPT）。
6. Three-terminal heterojunction bipolar transistor solar cell for high-efficiency photovoltaic conversion [O] . A. Martí, A. Luque -1

机译：用于高效光伏转换的三端异质结双极晶体管太阳能电池
7. Heterojunction Bipolar Transistor: 2D Material-Based Vertical Double Heterojunction Bipolar Transistors with High Current Amplification (Adv. Electron. Mater. 3/2019) [O] . Geonyeop Lee, Stephen J. Pearton, Fan Ren, 2019

机译：异结双极晶体管：具有高电流扩增的2D基于材料的垂直双相杂交双极晶体管（ADV。电子。Matter。3/2019）
8. Exploratory Development of SiC Bipolar Transistors and GaN heterojunction Bipolar Transistors for High-Power Switching Applications. [R] . Cooper, J. A. 2003

机译：用于大功率开关应用的siC双极晶体管和GaN异质结双极晶体管的探索性开发。

Parameter-extraction method for heterojunction bipolar transistors

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅