A voltage tunable 35 GHz monolithic GaAs FECTED oscillator

Lubke K.; Scheiber H.

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A voltage tunable 35 GHz monolithic GaAs FECTED oscillator

机译：电压可调35 GHz单片GaAs FECTED振荡器

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Monolithically integrated FECTED (field-effect controlled transferred electron device) oscillators have been fabricated with high yield, high reliability, and precise frequency control. With unoptimized circuits, 12 mW with 1.4% efficiency in CW (continuous wave) operation and 25 mW with 2% efficiency in pulsed operation have been obtained. These results represent the highest power output and efficiency yet for monolithic TED and FET oscillator in this frequency range.

机译：单片集成的FECTED（场效应控制转移电子器件）振荡器已经以高成品率，高可靠性和精确的频率控制进行了制造。使用未优化的电路，已获得12 mW的CW（连续波）工作效率为1.4％和25 mW的2％脉冲工作效率。这些结果代表了该频率范围内单片TED和FET振荡器的最高功率输出和效率。

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来源
《IEEE Microwave and Guided Wave Letters》 |1991年第2期|P.35-37|共3页
作者
Lubke K.; Scheiber H.;
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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