Fault Location in SF6 Insulated Conductors Using Direct Fluxgate Magnetometry

Itani A. M.; Perry M. P.; Houston J. M.

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Fault Location in SF6 Insulated Conductors Using Direct Fluxgate Magnetometry

机译：使用直接磁通门磁强法在SF6绝缘导体中进行故障定位

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来源
《Power Engineering Review, IEEE》 |1983年第2期|p.24-25|共2页
作者
Itani A. M.; Perry M. P.; Houston J. M.;
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作者单位

General Electric Company, Schenectady, NY;

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