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【24h】

Opportunistic Refreshing Algorithm for eDRAM Memories

机译：eDRAM存储器的机会刷新算法

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Embedded DRAM (eDRAM) is an alternative technology that can replace the area and power consumed by SRAM cache memories. eDRAM consumes half the area and an order of magnitude less power than SRAM, but has the drawback of access blockage caused by its periodic data refreshing. This paper presents an opportunistic refreshing algorithm along with the appropriate memory architecture and skim control logic. This architecture takes advantage of the access idleness of the internal partitions of the memory and enables most of the refreshing operations to run concurrently with the ordinary R/W access. This eliminates the refreshing burden almost completely. The algorithm was simulated with industrial DSP access traces, and outperformed in a wide range of eDRAM technologies and internal memory architectures.
机译：嵌入式DRAM（eDRAM）是一种替代技术，可以替代SRAM高速缓存存储器的面积和功耗。与SRAM相比，eDRAM消耗的面积减少一半，功耗降低一个数量级，但具有周期性数据刷新导致访问阻塞的缺点。本文提出了一种机会刷新算法，以及适当的存储器体系结构和浏览控制逻辑。这种体系结构利用了内存内部分区的访问空闲时间，并使大多数刷新操作可以与普通R / W访问同时运行。这几乎完全消除了刷新负担。该算法是通过工业DSP访问轨迹进行仿真的，并且在各种eDRAM技术和内部存储器体系结构中均表现出色。

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