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首页> 外文期刊>Circuits and Systems I: Regular Papers, IEEE Transactions on >Analysis of $hbox {IM}_{rm 3}$ Asymmetry in MOSFET Small-Signal Amplifiers
【24h】

Analysis of $hbox {IM}_{rm 3}$ Asymmetry in MOSFET Small-Signal Amplifiers

机译：MOSFET小信号放大器中的$ hbox {IM} _ {rm 3} $不对称性分析

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This paper describes and analyzes $hbox {IM}_3$ asymmetry issues for weakly nonlinear MOSFET Common-Gate(CG) and Common-Source(CS) architectures. Using a Volterra series analysis, the cause of $hbox {IM}_3$ asymmetry in CG and CS amplifiers is explained. The asymmetry between high-side and low-side $hbox {IM}_3$ products in the CG amplifier exhibits a larger amplitude difference at low-frequency offset than at high frequency offset, while the CS amplifier shows more asymmetry at a high frequency offset. The magnitude of the $hbox {IM}_3$ product asymmetry in the CS amplifier can be significantly higher than the CG amplifier. Methods of mitigating $hbox {IM}_3$ asymmetry are suggested for both CG and CS amplifiers. A 65 nm Si CMOS technology is used for the simulation verification of the results derived in this paper.
机译：本文描述并分析了弱非线性MOSFET Common-Gate（CG）和Common-Source（CS）架构的$ hbox {IM} _3 $不对称问题。使用Volterra级数分析，解释了CG和CS放大器中$ hbox {IM} _3 $不对称的原因。 CG放大器中高端和低端$ hbox {IM} _3 $产品之间的不对称性在低频偏移处表现出比在高频偏移处更大的幅度差，而CS放大器在高频偏移处表现出更多的不对称性。 CS放大器中$ hbox {IM} _3 $乘积不对称的幅度可能大大高于CG放大器。对于CG和CS放大器，建议了缓解$ hbox {IM} _3 $不对称性的方法。本文使用65 nm Si CMOS技术对结果进行仿真验证。

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