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首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Magnetics >Design, simulation, and realization of solid state memory element using the weakly coupled GMR effect
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Design, simulation, and realization of solid state memory element using the weakly coupled GMR effect

机译：利用弱耦合GMR效应的固态存储元件的设计，仿真和实现

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We found that in a weakly coupled giant magnetoresistive (GMR) sandwich the small-field response's slope is dependent on its past magnetic history. Based on this storage mechanism, we designed a binary solid state memory element. Simulation results show that it operates on the general principle of storing a binary digit in the hard component and sensing nondestructively its remanent state by switching the soft component in such a way that the magnetic state of the hard component is unaltered, thereby causing a dramatic GMR polar readout. So far a 1-b experimental apparatus has been realized.
机译：我们发现，在弱耦合的巨磁阻（GMR）三明治中，小场响应的斜率取决于其过去的磁历史。基于这种存储机制，我们设计了一个二进制固态存储元件。仿真结果表明，它的工作原理是将二进制数字存储在硬组件中，并通过切换软组件以使硬组件的磁性状态保持不变的方式无损地感测其剩余状态，从而引起剧烈的GMR极地读数。到目前为止，已经实现了1-b实验装置。

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