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机译:垂直记录材料和介质的特性,制备,进展和局限性
机译:Pd / Si双晶种层制备条件对Co / Pd多层垂直磁记录介质磁性能的影响
机译:双Ru中间层对CoCrPt-SiO_2垂直记录介质的磁性能和记录性能的影响
机译:带有记录层的衬底偏压对垂直磁记录介质的磁性和微观结构的影响
机译:双层垂直记录介质的制备,用于超过50 Gbit / in / sup 2 /面密度记录
机译:扩展垂直记录介质中的记录密度。
机译:Ru中间层的斜入射溅射用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:无电镀法制备垂直磁记录介质的制备与评价。考虑磁性特性的膜厚度依赖性的电镀介质。
机译:制备4性质,反应性无机中间体在新材料形成中的反应