A 4K Josephson memory

Suzuki H.; Fujimaki N.

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A 4K Josephson memory

机译：4K Josephson记忆

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The authors describe the design and experimental performance of a 4 K*1-bit Josephson (RAM). For high-speed memory operation, the authors have developed a compact AND gate for the decoder, a high-voltage driver gate, and a capacitively coupled single-flux quantum memory cell. The 4 K memory was designed using these gates and cell and was fabricated with Nb/AlO/sub x//Nb junctions. The minimum access time was 590 ps, and the total power dissipation was 19 mW.

机译：作者描述了4 K * 1位Josephson（RAM）的设计和实验性能。对于高速存储操作，作者开发了用于解码器的紧凑型AND门，高压驱动器门和电容耦合单通量量子存储单元。使用这些栅极和单元设计4 K存储器，并使用Nb / AlO / sub x // Nb结制造。最小访问时间为590 ps，总功耗为19 mW。

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来源
《IEEE Transactions on Magnetics》 |1989年第2期|P.783-788|共6页
作者
Suzuki H.; Fujimaki N.;
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作者单位

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类磁性材料、铁氧体;
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