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首页> 外文期刊>Magnetics, IEEE Transactions on >Magnetization Reversal Process of Tri-Layer Readers for Ultrahigh Density Data Storage
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Magnetization Reversal Process of Tri-Layer Readers for Ultrahigh Density Data Storage

机译：三层读取器的磁化反转过程用于超高密度数据存储

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We study the magnetization reversal process of tri-layer readers using micromagnetic simulations. The magnetoresistance response of tri-layer readers has been shown to be distinctive from the conventional spin valve giant magnetoresistance sensors. We look into the challenges for future high storage density when scaling down the read sensor size. The possible sensor reversal process control by engineering the sensor dimensions and material properties has been systematically investigated. We further observe an interesting dependence of magnetization states on the media bit transition length, which could be attributed to the small but finite physical separation between the two coupled ferromagnetic films. The findings in this work are useful for the design of tri-layer sensors for ultrahigh storage density in hard disk drives.
机译：我们使用微磁模拟研究了三层读取器的磁化反转过程。三层读取器的磁阻响应已被证明与常规自旋阀巨磁阻传感器截然不同。当缩小读取传感器尺寸时，我们将研究未来高存储密度的挑战。通过系统设计传感器尺寸和材料特性，可能的传感器反转过程控制已得到系统研究。我们进一步观察到磁化状态对介质位跃迁长度的一种有趣的依赖性，这可以归因于两个耦合的铁磁膜之间的微小但有限的物理间隔。这项工作的发现对于设计用于硬盘驱动器中超高存储密度的三层传感器非常有用。

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