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首页> 外文期刊>Magnetics, IEEE Transactions on >Suitability of Fe/GaAs and (Co,Ni)Mn(Ga,Ge) for Spintronics Applications: An Ab Initio Study
【24h】

Suitability of Fe/GaAs and (Co,Ni)Mn(Ga,Ge) for Spintronics Applications: An Ab Initio Study

机译：Fe / GaAs和（Co，Ni）Mn（Ga，Ge）在自旋电子学中的适用性：从头算研究

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In this paper, we use density functional theory to compare the usability of Fe(110)/GaAs(110) and new materials like the magnetic Heusler compound Co$_2$MnGe or Ni$_2$MnGa for spintronics applications. One quantity, which can easily be obtained and which is of major interest, is the degree of spin polarization at the Fermi level for the different systems under consideration. Therefore, we compare the spin polarization at the Fermi level for different configurations. For a Fe-GaAs multilayer system, a spin polarization of 19.6% is achieved at the interface, which increases towards the bulk polarization of Fe within a few monolayers. But, if only 1/4 monolayer of Fe is covering the GaAs surface, a strong ionic relaxation modifies the density of states, and thus, destroys the spin polarization. The Co$_2$ MnGe/MgO multilayer system shows an even larger polarization of 60.7% at the interface. Although a martensitic transformation shifts the pseudogap towards the Fermi level for the Ni$_2$ MnGa system, Co states close this gap.
机译：在本文中，我们使用密度泛函理论比较了Fe（110）/ GaAs（110）和诸如自旋电子学应用的磁性Heusler化合物Co $ _2 $ MnGe或Ni $ _2 $ MnGa等新材料的可用性。一个很容易获得并且引起人们极大兴趣的数量是所考虑的不同系统在费米能级下的自旋极化程度。因此，我们比较了不同配置下费米能级的自旋极化。对于Fe-GaAs多层系统，在界面处实现了19.6％的自旋极化，这朝着几个单层内的Fe的体极化增加。但是，如果仅1/4单层的Fe覆盖GaAs表面，则强烈的离子弛豫会改变态密度，从而破坏自旋极化。 Co $ _2 $ MnGe / MgO多层体系在界面处显示出甚至更大的极化，占60.7％。尽管马氏体相变将伪间隙移向了Ni $ _2 $ MnGa系统的费米能级，但Co州缩小了这个间隙。

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