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【24h】

Effect of Annealing on Domain Wall Mass in Amorphous FeCoMoB Microwires

机译：退火对非晶FeCoMoB微丝畴壁质量的影响

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The effect of annealing on the domain wall mass in amorphous FeCoMoB microwires has been studied. Annealing at 300 °C for 1 h leads to the relaxation of strong stresses from production process and to the homogenization of its amorphous structure. As a result of such annealing, the domain wall mass decreases from 1.26 x 10-15 kg in the as-cast state to 0.72 x 10-15 kg in the annealed state, while the thickness of the domain wall exhibits opposite tendency and increases from 493 nm in the as-cast state to 808 nm in the annealed sample.
机译：研究了退火对非晶FeCoMoB微线中畴壁质量的影响。在300°C下退火1 h可缓解生产过程中的强应力并使其非晶结构均质化。这种退火的结果是，畴壁质量从铸态的1.26 x 10 -15 kg减小到退火态的0.72 x 10 -15 kg ，而畴壁的厚度表现出相反的趋势，并且从铸态的493nm增加到退火样品的808nm。

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