n-Type Metal-Base Organic Transistor

bin Mohd. Yusoff A. R.; Song Y.; Schulz D.; Holz E.; Shuib S.

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n-Type Metal-Base Organic Transistor

机译：n型金属基有机晶体管

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This investigation proposes an Ir(ppy)$_3$/Ir(mpp) $_3$ double-emitter heterojuction metal-base transistors grown by vacuum sublimation deposition. The improved structure exhibits the advantages of high ON-to-OFF current ratio 4.98 × 10$^6$ and high current gains ( β) 355.6. The device survived for almost two months with a slight dropped in these parameters before it is completely gone in four months. Furthermore, this study elucidates the relation between leakage current, current gains, and ON-to-OFF current ratio.

机译：该研究提出了通过真空升华沉积法生长的Ir（ppy）$ _ 3 $ / Ir（mpp）$ _3 $双发射极异质结金属基晶体管。改进后的结构具有高通断电流比4.98×10 $ ^ 6 $和高电流增益（β）355.6的优点。该设备存活了将近两个月，但在四个月内完全消失之前，这些参数略有下降。此外，这项研究阐明了泄漏电流，电流增益和通断电流比之间的关系。

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来源
《Nanotechnology, IEEE Transactions on》 |2012年第2期|p.352-354|共3页
作者
bin Mohd. Yusoff A. R.; Song Y.; Schulz D.; Holz E.; Shuib S.;
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作者单位

Departamento de Física, Group of Organic Optoelectronic Devices, Universidade Federal do Paraná, Curitiba, Brazil;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Bipolar transistor; iridium complexes; metal-base transistor (MBT);

机译：双极晶体管;铱络合物;金属基晶体管（MBT）;

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