首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Power Electronics >A Fully Integrated Inductor-Based GaN Boost Converter With Self-Generated Switching Signal for Vehicular Applications
【24h】

A Fully Integrated Inductor-Based GaN Boost Converter With Self-Generated Switching Signal for Vehicular Applications

机译:完全集成的基于电感的GaN Boost转换器,具有用于汽车应用的自产生开关信号

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

An inductor-based GaN dc-boost converter with self-generated switching signal is proposed to remove power and area consuming gate drivers for toggling a large transistor switch. All the active and passive components are integrated on a 3 mm ×3 mm die using 0.25-μm GaN-on-SiC process. The circuit operates at 680-MHz switching frequency with 0.24 W/mm power density at 20-V output voltage for vehicular applications with 12-V car battery input.
机译:提出了一种基于电感器的GaN直流-升压转换器,该转换器具有自生的开关信号,以消除功率和面积消耗大的栅极驱动器,以触发大型晶体管开关。所有有源和无源组件都采用0.25μmSiC衬底上的GaN工艺集成在3mm x 3mm的裸片上。该电路在680MHz开关频率下工作,输出电压为20V时功率密度为0.24W / mm,适用于具有12V汽车电池输入的车载应用。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号