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首页> 外文期刊>Power Electronics, IEEE Transactions on >Boost Converter With SiC JFETs: Comparison With CoolMOS and Tests at Elevated Case Temperature
【24h】

Boost Converter With SiC JFETs: Comparison With CoolMOS and Tests at Elevated Case Temperature

机译：具有SiC JFET的升压转换器：与CoolMOS的比较以及在升高的外壳温度下进行的测试

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The emergence of hybrid electric vehicles (HEVs) has driven an increasing demand for high power densities in power converters. Silicon carbide (SiC) is a candidate of choice to meet this demand, and it has, therefore, been the object of a growing interest over the past decade. The boost converter (step-up converter) is an essential part of the typical powertrain of an HEV. This paper presents a scaled experiment in which a boost converter with a SiCjunction field-effect transistor is compared to the same converter with a silicon (Si) superjunction metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). In a first part, classic heatsinks are used; in a second part, the case of the transistors is maintained at 105 $^{circ}$C to mimic a cooling by radiator water. In both cases, results show a clear advantage for SiC.
机译：混合动力电动汽车（HEV）的出现推动了对功率转换器中高功率密度的日益增长的需求。碳化硅（SiC）是满足此需求的首选选择，因此，在过去十年中，碳化硅一直是人们越来越感兴趣的对象。升压转换器（升压转换器）是HEV典型动力总成的重要组成部分。本文提出了一个规模化实验，其中将具有SiC结场效应晶体管的升压转换器与具有硅（Si）超结金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的相同转换器进行比较。在第一部分中，使用了经典的散热器。在第二部分中，将晶体管的情况保持在105℃，以模仿散热器水的冷却。在两种情况下，结果均显示出SiC的明显优势。

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