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首页> 外文期刊>Ultrasonics, Ferroelectrics and Frequency Control, IEEE Transactions on >Acoustically coupled thickness-mode AIN-on-Si band-pass filters-part I: principle and devices
【24h】

Acoustically coupled thickness-mode AIN-on-Si band-pass filters-part I: principle and devices

机译：声耦合厚度模式硅上AIN-带通滤波器-第一部分：原理和器件

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In this, the first of two papers, we present the working principle and the implementation of laterally acoustically coupled thickness-mode thin-film piezoelectric-on-substrate (TPoS) filters. This type of filter offers low insertion loss and small bandwidth in a broad frequency range??from a few hundred megahertz up to a few gigahertz??and occupy a small chip area. In this paper, we discuss several design concerns, including the choice of materials for TPoS filters. We demonstrate a design for an air-suspended AlN-on-Si filter, which offers a low insertion loss of 2.4 dB at 2.877 GHz. The bandwidth of this filter is 12 MHz with a return loss of better than 30 dB. In Part II of this paper, we present a comprehensive analysis of the effect of physical layout parameters on the frequency response of TPoS filters.
机译：在本文中，这是两篇论文中的第一篇，我们介绍了横向声耦合厚度模式薄膜压电基片（TPoS）滤波器的工作原理和实现。这种类型的滤波器在从几百兆赫兹到几千兆赫兹的较宽的频率范围内，具有低插入损耗和小带宽的特点，并且占用的芯片面积较小。在本文中，我们讨论了几个设计问题，包括TPoS滤波器的材料选择。我们演示了一种用于空气悬浮的AlN-on-Si滤波器的设计，该滤波器在2.877 GHz时具有2.4dB的低插入损耗。该滤波器的带宽为12 MHz，回波损耗优于30 dB。在本文的第二部分中，我们对物理布局参数对TPoS滤波器的频率响应的影响进行了全面分析。

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