• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control >Piezoelectric-on-Silicon MEMS Lorentz Force Lateral Field Magnetometers
【24h】

Piezoelectric-on-Silicon MEMS Lorentz Force Lateral Field Magnetometers

机译：压电对硅MEMS Lorentz力横向场磁力计

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

This paper describes the realization of piezoelectricon-silicon lateral field Lorentz force magnetometers (LFMs) that target operation in ambient pressure instead of vacuum. Specifically, we describe two device topologies based on the out-of-plane resonant vibration modes. The first is based on a classic cantilever while the other is based on a corner-flapping square plate. In both topologies, piezoelectric transduction is exploited to enhance the sensitivity of the device compared to prevailing approaches to microelectromechanical system (MEMS) LFMs based on capacitive output interfaces. We show that the responsivity of the corner-flapping square plate topology (12 026 ppm/T) is 8.5 times higher than a state-of-the-art lateral field LFM based on a capacitive output interface even without relying on vacuum. We here define responsivity as the output sense current per unit magnetic field density normalized over the input excitation current.
机译：本文介绍了在环境压力代替真空中靶向操作的压电电池 - 硅横向场Lorentz力磁力计（LFMS）的实现。具体而言，我们基于平面外谐振振动模式描述了两个设备拓扑。第一个基于经典悬臂，而另一个基于角落扑扑方板。在这两个拓扑中，利用压电转导与基于电容输出接口的微机电系统（MEMS）LFMS的普遍方法相比增强设备的灵敏度。我们表明，即使在不依赖于真空的情况下，角落拍打方板拓扑（12 026ppm / t）的响应性高于最先进的横向场LFM高8.5倍。我们这里将响应性定义为输出检测电流每单位磁场密度通过输入激励电流归一化。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号