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首页> 外文期刊>電子情報通信学会技術研究報告 >Contact Capacitances of 10 ～1000 Microfarads in Parallel with Contact Resistances Between Closed Metal Electrodes
【24h】

Contact Capacitances of 10 ～1000 Microfarads in Parallel with Contact Resistances Between Closed Metal Electrodes

机译：密闭金属电极之间的接触电阻与10〜1000微法拉平行的接触电容

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The contact capacitance was investigated by measuring the phase shift between an alternating contact voltage and current of 10 kHz with Cu-Cu and Ni-Ni contacts having a contact resistance of 0.003～0.3 Ω. The contact current flew 2 to 4 μsec (7 to 14 degrees at 10 kHz) in advance of the voltage as if the contact impedance were capacitance-controlled. The resultant capacitances were estimated at 1000-10 μF in parallel with the contact resistances. Also measurements using a capacitance-resistance bridge proved the capacitances to be in agreement with the values mentioned above, whereas 10-100 pF for the contacts without constriction resistance. A possible theory for this capacitance was proposed with a hypothesis including the Pauli principle for the distribution of electron charge in the contact metal.
机译：通过测量接触电阻​​为0.003〜0.3的Cu-Cu和Ni-Ni接触点，通过测量交流接触电压和10 kHz电流之间的相移来研究接触电容。接触电流比电压提前2到4微秒（10 kHz时为7到14度），就好像接触阻抗是电容控制的一样。所得电容与接触电阻并联，估计为1000-10F。另外，使用电容电阻电桥进行的测量证明，电容与上述值一致，而对于没有压缩电阻的触点，电容为10-100 pF。提出了一个有关该电容的可能理论，并提出了一个假设，其中包括用于接触金属中电子电荷分布的泡利原理。

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