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Compound Semiconductors on Silicon

机译：硅上的化合物半导体

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For more than 20 years many millions of dollars have been spent for the growth of gallium arsenide and other hetero-materials on silicon for all the obvious reasons, larger, cheaper and higher quality substrates available in quantity (mostly elemental Groups Ⅲ-Ⅴ and Ⅱ-Ⅵ). Unfortunately most of it was spent producing either little success or a cost in excess of the competing compound semiconductor substrate. And, for some time the only compound semiconductor that showed promise was silicon-germanium, which does not quite present the same technology challenge, since both elements are in the same Group IV of the Periodic Table and therefore the silicon-germanium material system may be classed as an alloy rather than a compound.
机译：20多年来，出于所有显而易见的原因，大量，廉价和高质量的衬底（主要是Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ族元素）可用于硅上砷化镓和其他异质材料的生产，花费了数百万美元。 -Ⅵ）。不幸的是，大部分成本都花在了几乎没有成功或成本上超过竞争化合物半导体衬底上。而且，一段时间以来，唯一可以证明前景的化合物半导体是硅锗，它不会带来相同的技术挑战，因为这两种元素都在元素周期表的第IV组中，因此硅锗材料体系可能是被归类为合金而不是化合物。

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