Philips' SiGe targets high-speed networks

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机译：飞利浦的SiGe针对高速网络

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A new SiGe option for the QUBiC4 process from Royal Philips Electronics, (Eindhoven, The Netherlands) has yielded what is claimed to be the world's first single-chip 12.5 Gbit/s cross-point switch. QUBiC4'G' combines ultra high speed SiGe technology with the passive component integration, substrate isolation and dense CMOS logic capabilities of Philips' QUBiC4 BiCMOS process. With ft and fmax figures for QUBiC4'G' transistors exceeding 75 GHz and 100 GHz respectively, this new addition to the company's process technology portfolio provides the raw speed required for future applications such as network switches for 10 Gigabit Ethernet and SONET optical fibre networks.

机译：皇家飞利浦电子公司（荷兰埃因霍温）为QUBiC4工艺提供了一种新的SiGe选项，该产品被称为世界上第一个单芯片12.5 Gbit / s交叉点开关。 QUBiC4'G'将飞利浦QUBiC4 BiCMOS工艺的超高速SiGe技术与无源组件集成，衬底隔离和密集的CMOS逻辑功能相结合。 QUBiC4'G'晶体管的ft和fmax数值分别超过75 GHz和100 GHz，这是该公司工艺技术产品组合的新成员，它提供了未来应用所需的原始速度，例如10 Gb以太网和SONET光纤网络的网络交换机。

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来源
《III-Vs Review》 |2002年第4期|p.12|共1页
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类无线电电子学、电信技术;
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