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机译:Ni_xInSe(0 <x≤1)插层化合物的电化学,光学和磁性
Frantsevich Institute of Materials Science Problems (Chernivtsi Branch), National Academy of Sciences of Ukraine, vul. Vilde 5, Chernivtsi, 58001 Ukraine;
Frantsevich Institute of Materials Science Problems (Chernivtsi Branch), National Academy of Sciences of Ukraine, vul. Vilde 5, Chernivtsi, 58001 Ukraine;
Frantsevich Institute of Materials Science Problems (Chernivtsi Branch), National Academy of Sciences of Ukraine, vul. Vilde 5, Chernivtsi, 58001 Ukraine;
Kurdyumov Institute for Metal Physics, National Academy of Sciences of Ukraine, bul'v. Akademika Vernadskogo 36, Kyiv, 03680 Ukraine;
机译:Ni(x)GaSe(0
机译:梯度磁场中电化学插层法制备层状半导体纳米复合磁性化合物
机译:通过电化学,光化学和化学方法控制分子化合物中的磁性和光学性质
机译:闭合化合物Fe_(0.5)TISE_2的磁性结构和性质
机译:含不同嵌入反荷阴离子的Ni-Al层状双金属氢氧化物的电化学和光学性质。
机译:双硝基氧基化合物与不同烷基链长度的DNA嵌入效力的电化学研究
机译:插层化合物FexTiS2-δSeδ:插层和取代对磁阻和磁阻特性的影响
机译:石墨插层化合物的磁性