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【24h】

Photoluminescence of Rare-Earth-Doped InSe and GaSe Single Crystals

机译:稀土掺杂InSe和GaSe单晶的光致发光

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摘要

The effect of doping with Gd, Ho, and Dy (10~(-5) to 10~(-1) at %) on the photoluminescence behavior (intensity and shape of the spectrum) of single crystals of the layered compounds InSe and GaSe is studied in the range 77-300 K. It is shown that, in both selenides, photoluminescence is of excitonic nature.
机译:掺杂Gd,Ho和Dy(10〜(-5)至10〜(-1)at%)对层状化合物InSe和GaSe单晶的光致发光行为(强度和光谱形状)的影响研究表明,在两个硒化物中,光致发光性质都是激子性质。

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