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Magnetic Properties of High-Resistivity CdTe and CdTe Crystals

机译：高电阻率CdTe 和CdTe 晶体的磁性

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The magnetic susceptibility of high-resistivity CdTe crystals was measured between 4.2 and 300 K. The susceptibility was found to vary anomalously with temperature. Below 50 K, all the samples were paramagnetic. The observed anomalies are interpreted in terms of donor-acceptor pairs formed by native defects and dopant or uncontrolled impurity atoms. The effect of doping on the 300-K X is related to the Van Vleck paramagnetic contribution resulting from the local electric fields of x_1-V_cd and In_1-V_cd defect ompexes. In CdTe
机译：测量高电阻率CdTe（IN）和CdTe 晶体的磁化率在4.2至300 K之间。发现磁化率随温度异常变化。低于50 K，所有样品均为顺磁性。观察到的异常是根据由天然缺陷和掺杂物或不受控制的杂质原子形成的施主-受主对来解释的。掺杂对300-K X的影响与x_1-V_cd和In_1-V_cd缺陷双极点的局部电场引起的Van Vleck顺磁贡献有关。在CdTe

著录项

  • 来源
    《Inorganic materials》 |2001年第6期|p.560-563|共4页
  • 作者

    Yu. V.Shaldin;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
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