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On the Determination of Carrier Mobility in Compensated GaAs

机译：补偿GaAs载流子迁移率的确定

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The applicability of the Brooks-Herring and Conwell-Weisskopf formulas in calculations of the carrier mobility associated with scattering by ionized impurities is examined using n-type GaAs as an example. The Brooks-herring approximation is shown to be inapplicable at large compensation ratios, where the Conwell-Weisskopf formula is more accurate. The applicability limits of the two formulas are established for calculations of carrier mobility form dopant concentration and compensation ratio and for calculations of the concentrations of ionized centers (compensation ratio) from carrier concentration and mobility. The predicted applicability limits are consistent with experimental data.
机译：以n型GaAs为例，研究了Brooks-Herring和Conwell-Weisskopf公式在计算与电离杂质散射相关的载流子迁移率中的适用性。事实证明，在大补偿率下，布鲁克斯鲱鱼近似法不适用，在这种情况下，Conwell-Weisskopf公式更为精确。建立两个公式的适用范围是为了计算载流子迁移形式的掺杂剂浓度和补偿比，以及根据载流子浓度和迁移率计算电离中心的浓度（补偿比）。预测的适用范围与实验数据一致。

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