Photoconductivity of Ge_1-xSi_xSingle Crystals in the Range 115-300 K

M. Ya. Bakirov; R.V. Shakhbazova

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Photoconductivity of Ge_1-xSi_xSingle Crystals in the Range 115-300 K

机译：Ge_1-xSi_x单晶在115-300 K范围内的光电导性

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The steady-state photoconductivity of n-and p-type Ge_1-xSi_x single crystals was measured in the range 115-300 K. The results were interpreted using a model considering two types of centers with markedly different capture cross sections.

机译：在115-300 K范围内测量了n型和p型Ge_1-xSi_x单晶的稳态光电导。使用考虑了捕获截面积明显不同的两种类型的中心的模型对结果进行了解释。

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来源
《Inorganic materials》 |2000年第2期|94-96|共3页
作者
M. Ya. Bakirov; R.V. Shakhbazova;
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作者单位

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收录信息美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工程材料学;
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