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Codoping of Ge with Al and Sb

机译：Ge与Al和Sb共掺杂

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摘要

Ge single crystals were doped with Al or Sb to various concentrations and cooped with Al and Sb in the ratios 3:1, 1:1, and 1:3. Using Hall effect measurements, the electron and hole concentrations in the doped crystals were determined. A relationship between the dopant-solubility limits and the maximum carrier concentration was found. The data obtained were shown to be consistent with the processes Al→ Al~-＋h and Sb→Sb~＋ ＋e in Ge doped with Al or Sb up to the solubility limit. In the material codoped with Al and Sb in the atomic ratio 3:1, the hole concentration is equal to the difference in the Al and Sb concentrations. At an Al:Sb ratio of 1:3, the electron concentration in Ga is higher than that in Ge because of the increase in Sb solubility in the presence of Al. The crystals doped with equal concentrations of Al and Sb are n-type. The results are interpreted in terms of donor-acceptor interaction and compensation effects.
机译：Ge单晶中掺有Al或Sb至各种浓度，并以3∶1、1∶1和1∶3的比例掺入Al和Sb。使用霍尔效应测量，可以确定掺杂晶体中的电子和空穴浓度。发现了掺杂剂溶解度极限和最大载流子浓度之间的关系。结果表明，在掺入Al或Sb的Ge中，直至溶解度极限，Al→Al〜-＋ h和Sb→Sb〜＋＋ e的过程与Al→Al〜-＋ h和Sb→Sb〜＋＋ e的过程一致。在以原子比3：1共掺杂有Al和Sb的材料中，空穴浓度等于Al和Sb浓度之差。在Al∶Sb比率为1∶3的情况下，由于存在Al时Sb溶解度的增加，因此Ga 中的电子浓度高于Ge 中的电子浓度。掺杂有相同浓度的Al和Sb的晶体为n型。根据供体-受体相互作用和补偿作用来解释结果。

著录项

  • 来源
    《Inorganic materials》 |2000年第2期|97-99|共3页
  • 作者

    V.M. Glazov;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 工程材料学;
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