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首页> 外文期刊>International Aerospace Review and Analysis >Raytheon kicks off 15th year of GaN innovation
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Raytheon kicks off 15th year of GaN innovation

机译：雷神公司启动GaN创新的第15年

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Raytheon Company has embarked on its fifteenth year of pioneering the development and system integration of gallium nitride (GaN) technology. In 1999, Raytheon commenced research in GaN at the Raytheon Foundry in Andover, Mass. Today, Raytheon remains at the forefront of GaN innovation, demonstrating the maturity of the technology which significantly extends the warfighter's reach into the battle space by increasing radar ranges, sensitivity and search capabilities.
机译：雷神公司已踏入第15年，是氮化镓（GaN）技术开发和系统集成的先驱。 1999年，雷神公司在马萨诸塞州安多弗的雷神公司铸造厂开始对GaN进行研究。如今，雷神公司始终处于GaN创新的最前沿，证明了该技术的成熟性，该技术通过增加雷达的射程，灵敏性而大大扩展了战斗机的作战范围和搜索功能。

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