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【24h】

A 120 GHz FMCW radar frontend demonstrator based on a SiGe chipset

机译：基于SiGe芯片组的120 GHz FMCW雷达前端演示器

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This paper presents a frequency-modulated continuous-wave (FMCW) radar operating at 120 GHz, which features silicon-germanium (SiGe) chips that employ HBTs with 320 GHzf_(max). The chipset comprises a fundamental-wave signal-generation chip with a voltage-controlled oscillator (VCO) that provides frequencies between 114 and 130 GHz and a corresponding dual-transceiver (TRX) chip that supports monostatic and quasi-monostatic radar configurations. The cascode amplifiers used in the TRX chip were characterized in separate test chips and yielded peak small-signal gains of approximately 15 dB. Finally, a quasi-monostatic two-channel FMCW radar frontend with on-board differential microstrip antennas was built on an RF substrate. FMCW radar measurements with frequency chirps from 116 to 123 GHz verified the functionality of the designed radar sensor.
机译：本文介绍了一种工作在120 GHz的调频连续波（FMCW）雷达，该雷达具有采用320 GHzf_（max）HBT的硅锗（SiGe）芯片。该芯片组包括一个基波信号生成芯片，该芯片具有一个提供114至130 GHz之间频率的压控振荡器（VCO），以及一个支持单静态和准单静态雷达配置的相应双收发器（TRX）芯片。 TRX芯片中使用的共源共栅放大器在单独的测试芯片中进行了表征，并产生了约15 dB的峰值小信号增益。最后，在射频基板上构建了带有板载差分微带天线的准单静态两通道FMCW雷达前端。 FMCW雷达在116至123 GHz的频率chi下进行测量，验证了所设计雷达传感器的功能。

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