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首页> 外文期刊>International Journal of Microwave and Wireless Technologies >Multi-Octave bandwidth, 100 W GaN power amplifier using planar transmission line transformer
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Multi-Octave bandwidth, 100 W GaN power amplifier using planar transmission line transformer

机译：使用平面传输线变压器的多八度带宽，100 W GaN功率放大器

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In this paper, design, implementation, and experimental results of efficient, high-power, and multi-octave gallium nitride-high electron mobility transistor power amplifier are presented. To overcome the low optima source/load impedances of a large transistor, various topologies of a broadside-coupled impedance transformer are simulated, implemented, and measured. The used transformer has a flat measured insertion loss of 0.5 dB and a return loss higher than 10 dB over a decade bandwidth (0.4-4 GHz). The transformer is integrated at the drain and gate sides of the transistor using pre-matching networks to transform the complex optima source/load impedances to the appropriate impedances of the transformer plane. The measurement results illustrate a saturated output power ranged between 80 and 115 W with an average drain efficiency of 57% and gain of 10.5 dB across 0.6-2.6 GHz.
机译：本文介绍了高效，高功率，多倍频程氮化镓-高电子迁移率晶体管功率放大器的设计，实现和实验结果。为了克服大型晶体管的低最佳源/负载阻抗，对宽边耦合阻抗变压器的各种拓扑进行了仿真，实现和测量。使用的变压器在十倍频宽（0.4-4 GHz）上具有0.5 dB的平坦测量插入损耗和大于10 dB的回波损耗。使用预匹配网络将变压器集成在晶体管的漏极和栅极侧，以将复杂的最佳源/负载阻抗转换为变压器平面的适当阻抗。测量结果表明，饱和输出功率在80至115 W之间，平均漏极效率为57％，在0.6-2.6 GHz范围内的增益为10.5 dB。

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