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A High Efficiency Inductor-Less Broadband Fully Integrated CMOS Power Amplifier

机译：高效无电感宽带全集成CMOS功率放大器

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This work presents the design and implementation of a novel broadband completelyrninductor-less 300 MHz–2.4 GHz power amplifier (PA) in 180 nm CMOS, primarilyrnfor applications in the ultrahigh frequency (UHF) industrial scientific and medical band.rnThis is capable of delivering up to 15.6 dBm saturated output power with an associatedrnpeak power added efficiency of 31% in measurement. Although amplifiers with higher outputrnpower have been reported, this amplifier occupies only 0.086 mm~2 and does not requirernany off chip component for its operation, even at the UHF band. It also achieves the highestrnpower density among a similar class of PA’s below 10 GHz.
机译：这项工作介绍了新颖的宽带无电感器，带宽为180 nm CMOS的300MHz–2.4 GHz新型无功功率放大器（PA）的设计和实现，主要用于超高频（UHF）工业科学和医疗频段中的应用。达到15.6 dBm的饱和输出功率，相关的峰值功率测量附加效率为31％。尽管已经报道了具有更高输出功率的放大器，但是该放大器仅占0.086 mm〜2，甚至在UHF频段也不需要任何片外组件来工作。在10 GHz以下的同类功率放大器中，它还实现了最高的功率密度。

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