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Direct extraction method for stripline packaged field effect transistor small signal equivalent circuit model

机译：带状线封装的场效应晶体管小信号等效电路模型的直接提取方法

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A new method for the extraction of the small signal model parameters for packaged field effect transistors (FETs) is proposed in this article. This method differs from previous ones by extracting the packaging model parameters under active bias conditions without global numerical optimization techniques. The main advantage of this method is that a unique and physically meaningful set of extrinsic packaging model parameters are extracted by using a set of closed form expressions based on the coaxial measurement for packaged device and on-wafer measurement for chip. Good agreement is obtained between simulated and measured results for a gallium arsenide MESFET with 0.5 μm gatelength and 400 μm gatewidth over a wide range of bias points up to 8 GHz. © 2013 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE 24:306–313, 2014.
机译：本文提出了一种新的方法来提取封装的场效应晶体管（FET）的小信号模型参数。该方法与以前的方法不同，它在没有全局数值优化技术的情况下，在主动偏差条件下提取包装模型参数。该方法的主要优点是，基于封装设备的同轴测量和芯片上的晶圆测量，通过使用一组封闭形式表达式，可以提取一组独特且在物理上有意义的外部包装模型参数。在高达8 GHz的宽偏置点范围内，栅长为0.5μm，栅宽为400μm的砷化镓MESFET的仿真结果与测量结果之间取得了良好的一致性。 ©2013 Wiley Periodicals，Inc. Int J RF和Microwave CAE 24：306–313，2014年。

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