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Condition number for reliable microwave transistor modeling

机译：用于可靠的微波晶体管建模的条件编号

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An appropriate procedure enabling the evaluation of the sensitivity of a MESFET small-signal model given unavoidable measurement errors is presented in the first section of this article. This technique, which is based on calculation of the condition number, has been applied to an NE 76000 MESFET device. The results obtained enabled us to highlight the difficulties of an accurate MESFET characterization and to predict the equivalent-circuit element errors. In the second part, we introduce a new approach that makes it possible to reduce the sensitivity of the parameters of the model. When applied to the same transistor, this approach enables us to reduce the sensitivity of the model of 30% on average.
机译：本文的第一部分介绍了一种适当的程序，该程序能够在不可避免的测量误差的情况下评估MESFET小信号模型的灵敏度。该技术基于条件数的计算，已应用于NE 76000 MESFET器件。获得的结果使我们能够强调准确进行MESFET表征的困难，并预测等效电路元件的误差。在第二部分中，我们介绍了一种新方法，可以降低模型参数的敏感性。当应用于同一晶体管时，这种方法使我们能够将模型的灵敏度平均降低30％。

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